日本napson計算機操作非接觸電阻測量裝置
使用個人計算機節(jié)省空間，易于操作和數(shù)據(jù)處理
由于它是一種非接觸式渦流方法，因此可以進行測量而不會損壞它。
由于探頭是可拆卸和可更換的，因此可以方便地用每個量程的探頭進行替換。
（*對第二個和后續(xù)電阻探頭的可選支持）
中心1點測量
厚度/溫度補償功能（硅晶片）
日本napson計算機操作非接觸電阻測量裝置
測量規(guī)格
測量目標(biāo)
半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
硅基外延，離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請與我們聯(lián)系）
測量尺寸
3-8英寸?156 x 156毫米
（可選; 2英寸或12英寸?210 x 210毫米）
測量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總范圍）
*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
測量規(guī)格
測量目標(biāo)
半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
硅基外延，離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請與我們聯(lián)系）
測量尺寸
3-8英寸?156 x 156毫米
（可選; 2英寸或12英寸?210 x 210毫米）
測量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總范圍）
*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
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